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集成电路简史

1.世界集成电路的发展历史
  1947年:贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管,这是微电子技术发展中第一个里程碑;
   
集成电路
1950年:结型晶体管诞生
  1950年: R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺
  1951年:场效应晶体管发明
  1956年:C S Fuller发明了扩散工艺
  1958年:仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史;
  1960年:H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺
  1962年:美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管
  1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺
  1964年:Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍
  1966年:美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列(50门)
  1967年:应用材料公司(Applied Materials)成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司
  1971年:Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM),标志着大规模集成电路出现
  1971年:全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工艺,这是一个里程碑式的发明
  1974年:RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802
  1976年:16kb DRAM和4kb SRAM问世
  1978年:64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临
  1979年:Intel推出5MHz 8088微处理器,之后,IBM基于8088推出全球第一台PC
  1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世
  1984年:日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM
  1985年:80386微处理器问世,20MHz
  1988年:16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路(VLSI)阶段
  1989年:1Mb DRAM进入市场
  1989年:486微处理器推出,25MHz,1μm工艺,后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺
  1992年:64M位随机存储器问世
  1993年:66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μm工艺
  199

 
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